H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix و H5AN4G6NBJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 8 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 2400 Mbps (PC2400) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| رابط | DDR4 (JEDEC) | — |
| بسته‌بندی | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | FBGA-96 (PBGA-96) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS |
| Lifecycle Code | Active | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| اندازه حافظه | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Data Mask Function | — | Yes (DM) |
| Asynchronous Reset | — | Yes (RESET_n) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (command/address CRC) |