H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-UHC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-PBC توسط SK hynix و H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-UHC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
Density 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
نوع رابط DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh Auto self-refresh
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
بسته‌بندی TFBGA-96 (rectangular) 96-ball FBGA (TFBGA)
Number of Terminals 96 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
وضعیت RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Composition CMOS —
Memory Density — 8 Gbit
ولتاژ تغذیه — 1.2 V
نرخ داده — 2400 MT/s
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Data Mask — DM function supported
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Write Leveling — Write leveling function supported

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت