H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G8NAFR-RDC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-RDC توسط SK hynix و H5AN8G8NAFR-RDC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
سازمان 512M x 16 1G x 8 (x8)
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
رابط DDR4 (JEDEC-standard) DDR4 (Double Data Rate 4)
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
وضعیت RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) -RDC (DDR4-2666 class)
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Density — 8 Gbit
نرخ داده — 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
تأخیر CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
بسته‌بندی — 78-ball FBGA
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت