H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G8NAFR-RDC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR-RDC מאת SK hynix ו H5AN8G8NAFR-RDC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ פעיל
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
ארגון 512M x 16 1G x 8 (x8)
מתח אספקה 1.2 V —
ממשק DDR4 (JEDEC-standard) DDR4 (Double Data Rate 4)
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) -RDC (DDR4-2666 class)
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Density — 8 Gbit
קצב נתונים — 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
השהיית CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
מארז — 78-ball FBGA
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר