H5AN8G6NCJR-VKC vs NT6AN8T6WBJ1B1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix و NT6AN8T6WBJ1B1 توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-VKC | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Nanya Technology |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 8 Gb (512M x 16) |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps (MT/s) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| رابط | Parallel | — |
| دمای کاری | 0C to +95C | 0C to +95C (TC) |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| ویژگی‌ها | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| تأخیر CAS | — | 22 cycles |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |