H5AN8G6NCJR-VKC vs NT6AN8T6WBJ1B1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NCJR-VKC מאת SK hynix ו NT6AN8T6WBJ1B1 מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NCJR-VKC | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Nanya Technology |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | 8 Gb (512M x 16) |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (MT/s) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| ממשק | Parallel | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | 0C to +95C (TC) |
| מארז | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| תכונות | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| סטטוס מחזור חיים | Active | — |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| השהיית CAS | — | 22 cycles |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |