H5AN8G8NAFR-UHCR vs H5AN8G8NAFR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NAFR-UHCR توسط SK hynix و H5AN8G8NAFR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NAFR-UHCR | H5AN8G8NAFR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دستهبندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2400 Mbps/pin (PC2400) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| رابط | CMOS, synchronous DDR4 | SSTL12 |
| بستهبندی | FBGA-78 (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packing Suffix | R = Tape & Reel | — |
| Speed Grade Code | -UH | — |
| Generation Family | H5AN8GxNAFR-xxC (DDR4) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Application Class | Main memory / high bandwidth | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (VKC bin) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Bank Group Architecture | — | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes (DLL for output skew control) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Recommended Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |