H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G8NCJR-VKC توسط SK hynix و H5AN8G8NCJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps/pin | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | 1.2 V |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel (DDR4) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| سازمان | — | 1G x 8 (x8) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| ویژگی‌ها | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |