H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-PBC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G8NCJR-VKC מאת SK hynix ו H5AN8G8NCJR-PBC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G8NCJR-VKC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps/pin | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | 1.2 V |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| ממשק | Parallel (DDR4) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| השהיית CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| ארגון | — | 1G x 8 (x8) |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| תכונות | — | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |