H5ANAG6NCJR-XN vs H5ANAG6NCR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5ANAG6NCJR-XN توسط SK hynix و H5ANAG6NCR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5ANAG6NCJR-XN | H5ANAG6NCR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit (1G x 16) | — |
| سازمان | 1G x 16 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 3200 Mbps/pin (DDR4-3200) | [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (96-ball) | 96-ball FBGA |
| Package Width | 8 mm | — |
| نوع نصب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Maximum Standby Current | 0.074 A (per Vyrian listing) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade] | — |
| Memory Density | — | 16 Gbit |
| رابط | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| Refresh Mode | — | 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 |
| Technology | — | CMOS |
| Application | — | Main memory (PC / server / embedded) |