IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon و IAUC120N04S6N009ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 - 40V 120A 0.9mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6N009ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7N019GATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
بسته‌بندی PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
جریان درین پالسی — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
سطح MSL — 1
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت