IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN10S7N021ATMA1 توسط Infineon و IPG16N10S461AATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPG16N10S461AATMA1 IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 - Dual N-Ch 100V 16A 61mΩ MOSFET | Infineon

IPG16N10S461AATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN10S7N021ATMA1 IPG16N10S461AATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS™ trench
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 16 A
On-Resistance R_DS(on) typ. — 61 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) — 29 W (T_C = 25°C)
Configuration — 2 N-Channel (Dual, separate)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Maximum Junction Temperature — 175 °C
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C
Terminal Count — 8
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Built-in Body Diode — Yes
Channel Mode — Enhancement

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت