IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPG16N10S461AATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN10S7N021ATMA1 מאת Infineon ו IPG16N10S461AATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN10S7N021ATMA1 | IPG16N10S461AATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | OptiMOS™ trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Type | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 16 A |
| On-Resistance R_DS(on) typ. | — | 61 mΩ |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 29 W (T_C = 25°C) |
| Configuration | — | 2 N-Channel (Dual, separate) |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Terminal Count | — | 8 |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |