IAUCN10S7N021ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN10S7N021ATMA1 توسط Infineon و ISC080N10NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN10S7N021ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
محدوده دمای کاری — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت