IAUCN10S7N021ATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S7N021ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC080N10NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN10S7N021ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں