IAUCN10S7N074ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN10S7N074ATMA1 توسط Infineon و IAUCN08S7L033ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (Shielded-Gate Trench) OptiMOS 7 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 78 A (Tj) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 96 W (Tc) —
R<sub>DS(on)</sub> (typ at V<sub>GS</sub>=10 V) 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 (with exposed pad) —
سطح MSL MSL2 (1 year) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Application 48 V Automotive Systems —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — Automotive OptiMOS 7
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت