IAUS300N08S5N012 vs IAUS300N08S5N012T مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUS300N08S5N012 توسط Infineon و IAUS300N08S5N012T توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUS300N08S5N012 IAUS300N08S5N012T
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 300 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V 1.2 mΩ typical —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 3.8 V at 275 µA —
Power Dissipation (PD) at TC 375 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: full min/max operating temperature range]
بسته‌بندی PG-HSOG-8-1 (Surface Mount) PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) —
Avalanche Rating 100% Avalanche tested —
Technology OptiMOS 5 planar trench OptiMOS 5
Terminals 8 —
Part Number — IAUS300N08S5N012T
Drain-Source Voltage (V_DS) — 80 V
On-State Resistance (R_DS(on)) — 1.2 mΩ max @ V_GS = 10 V
Continuous Drain Current (I_D) — 300 A (Tj)
Power Dissipation (P_D) — 375 W (Tc)
Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) — 0.4 K/W
Maximum Chip Current — 400 A at 25°C (chip-limited)
Channel Polarity — N-Channel
Marking Code — 5N08012
وضعیت RoHS — Compliant (per Infineon product page)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: typical threshold voltage]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: typical total gate charge]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت