IGI60L1111B1MXUMA1 vs IGI60L1414B1MXUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IGI60L1111B1MXUMA1 توسط Infineon و IGI60L1414B1MXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IGI60L1111B1MXUMA1 | IGI60L1414B1MXUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دستهبندی | MOSFETs | Transistors |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | GaN (Gallium Nitride), enhancement-mode | GaN (Gallium Nitride), enhancement-mode |
| Configuration | Half-Bridge (integrated gate driver + bootstrap diode) | Half-bridge (high-side + low-side switch) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on), typ) | 110 mΩ | — |
| جریان خروجی (حداکثر) | 7.4 A | — |
| Gate-Drive Supply (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| بستهبندی | PG-TFLGA-27-2 (6 x 8 mm) | PG-TFLGA-27-2 |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| PWM Input Logic Level | 3.3 V / 5 V compatible | — |
| CoolGaN Generation | G5 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolGaN™ (IGI family) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 6.0 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 140 mΩ (per switch) |
| Gate Driver | — | Integrated (high-side + low-side) |
| Level Shifter | — | Integrated high-voltage level shifter |
| Bootstrap Diode | — | Integrated ultra-fast low-resistance |
| Source Drive Current | — | +0.29 A |
| Sink Drive Current | — | -0.7 A |
| Turn-On/Turn-Off | — | Application-configurable (external Rg) |
| Application Category | — | SMPS, PFC, motor drive, Class-D audio |