IGI60L1111B1MXUMA1 vs IGI60L1414B1MXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IGI60L1111B1MXUMA1 توسط Infineon و IGI60L1414B1MXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IGI60L1111B1MXUMA1 IGI60L1111B1MXUMA1 - 600V CoolGaN Half-Bridge | Infineon

IGI60L1111B1MXUMA1 - 600V CoolGaN Half-Bridge | Infineon

IGI60L1111B1MXUMA1 ✓ فعال
Infineon
IGI60L1414B1MXUMA1 IGI60L1414B1MXUMA1 - 600V GaN Half-Bridge 140mΩ | Infineon

IGI60L1414B1MXUMA1 - 600V GaN Half-Bridge 140mΩ | Infineon

IGI60L1414B1MXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IGI60L1111B1MXUMA1 IGI60L1414B1MXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs Transistors
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology GaN (Gallium Nitride), enhancement-mode GaN (Gallium Nitride), enhancement-mode
Configuration Half-Bridge (integrated gate driver + bootstrap diode) Half-bridge (high-side + low-side switch)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on), typ) 110 mΩ —
جریان خروجی (حداکثر) 7.4 A —
Gate-Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
بسته‌بندی PG-TFLGA-27-2 (6 x 8 mm) PG-TFLGA-27-2
Integrated Bootstrap Diode Yes —
PWM Input Logic Level 3.3 V / 5 V compatible —
CoolGaN Generation G5 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolGaN™ (IGI family)
Continuous Drain Current (ID) — 6.0 A
On-Resistance (RDS(on)) — 140 mΩ (per switch)
Gate Driver — Integrated (high-side + low-side)
Level Shifter — Integrated high-voltage level shifter
Bootstrap Diode — Integrated ultra-fast low-resistance
Source Drive Current — +0.29 A
Sink Drive Current — -0.7 A
Turn-On/Turn-Off — Application-configurable (external Rg)
Application Category — SMPS, PFC, motor drive, Class-D audio

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت