IPG20N10S436AATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPG20N10S436AATMA1 توسط Infineon و IPD031N06L3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPG20N10S436AATMA1 | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Configuration | Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TJ max) | +175 C | — |
| JESD-609 Code | e3 | — |
| سطح MSL | MSL1 (260 C peak reflow) | 1 (Unlimited) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100% | — |
| AOI Compatible | Yes (Wettable Flank) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel Normal Level | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 167 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.2 V |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +175°C |
| Series | — | OptiMOS 3 |