IPL65R070C7AUMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPL65R070C7AUMA1 توسط Infineon و IPN95R3K7P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPL65R070C7AUMA1 IPN95R3K7P7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Super-junction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 950 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
دمای اتصال کاری -55°C to +150°C -55 C to +150 C
بسته‌بندی PG-VSON-4 (surface mount) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 2.0 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 6 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 3700 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت