IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPL65R200CFD7AUMA1 توسط Infineon و IPL60R105P7AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPL65R200CFD7AUMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 14 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| بسته‌بندی | PG-VSON-4 | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg value] | — |
| Body Diode | Fast-recovery intrinsic | — |
| Gate-Source ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |