IPN95R3K7P7ATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPN95R3K7P7ATMA1 توسط Infineon و BSC076N06NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPN95R3K7P7ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) N-Channel Trench MOSFET
بسته‌بندی PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
محدوده دمای کاری — -55C to +150C
RoHS Compliance — Compliant
بدون هالوژن — Yes (per Infineon product page)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت