IR2127STRPBF vs IR21271STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2127STRPBF توسط Infineon و IR21271STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IR2127STRPBF IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2127STRPBF IR21271STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration High-Side High-Side or Low-Side
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns (typical) 200 ns typical
Input Logic Non-Inverting —
تعداد خروجی‌ها 1 1
زمان صعود 80 ns (typical) [DATA_NEEDED: rise time]
زمان افت 60 ns (typical) [DATA_NEEDED: fall time]
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (3.90 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant Yes (Pb-Free, suffix PBF)
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) Yes
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) Yes (CS pin + shutdown)
Input Polarity — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 9 V to 20 V
High-Side Offset Voltage — 600 V max
دمای کاری — -40C to +125C
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت