IRF7854TRPBF vs IRF7103TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7854TRPBF توسط Infineon و IRF7103TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7854TRPBF IRF7103TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $0.48 —
FET Type N-Channel Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
بسته‌بندی SO-8 SO-8 (PG-DSO-8-902)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR MOSFET™ (HEXFET equivalent)
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7103TRPBF
Configuration — Common Source, Dual Die
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
On-Resistance RDS(on) max — 130 mOhm @ VGS=10V
On-Resistance RDS(on) typ — 0.11 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Soldering Method — Vapour phase, infrared, wave soldering
سطح MSL — 1
Lead-Free — Yes (Pb-free per TRPBF suffix)
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت