IRFR5505TRPBF vs IRFR9024NTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR5505TRPBF توسط Infineon و IRFR9024NTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR5505TRPBF IRFR9024NTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Series HEXFET —
Polarity P-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) HEXFET (Generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A -11 A
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V +/-20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
تعداد پایه — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت