IRFR9120NTRPBF vs IRFR9120NTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR9120NTRPBF توسط Infineon و IRFR9120NTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -6.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V 480 milliohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] -2 V to -4 V
Total Gate Charge (Qg) 18 nC (typical) —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C 40 W —
محدوده دمای اتصال کاری -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited floor life) 1
Lead Finish / Plating Pb-free (PBF suffix), Matte Tin —
Technology HEXFET fifth-generation IR MOSFET IR MOSFET (planar)
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Moisture Sensitivity MSL1 per JEDEC J-STD-020 —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (Tj)
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت