IRFR9120NTRPBF vs IRFR9120NTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR9120NTRPBF מאת Infineon ו IRFR9120NTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -6.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V 480 milliohm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] -2 V to -4 V
Total Gate Charge (Qg) 18 nC (typical) —
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C 40 W —
טווח טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC] —
מארז TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited floor life) 1
Lead Finish / Plating Pb-free (PBF suffix), Matte Tin —
Technology HEXFET fifth-generation IR MOSFET IR MOSFET (planar)
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Moisture Sensitivity MSL1 per JEDEC J-STD-020 —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) — -6.6 A (Tc)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) — 480 mOhm max @ VGS = -10 V
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Power Dissipation (PD) — 40 W (Tc)
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (Tj)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר