IRFS7440TRLPBF vs IRFB4310PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS7440TRLPBF توسط Infineon و IRFB4310PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFS7440TRLPBF IRFS7440TRLPBF - 40V 120A StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFS7440TRLPBF - 40V 120A StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFS7440TRLPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS7440TRLPBF IRFB4310PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series StrongIRFET —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 120 A 130 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 208 W —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC (typical) 170 nC
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (normal level) —
Operating Frequency Range (optimized) <100 kHz —
بسته‌بندی TO-263 (D2PAK), surface mount TO-220AB (through-hole)
نوع نصب Surface Mount Through Hole
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range] -55C to +175C (junction)
وضعیت RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Qualification JEDEC standard —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 5.6 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free — Yes (Pb-free PBF suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت