IRFS7440TRLPBF vs IRFB4310PBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFS7440TRLPBF מאת Infineon ו IRFB4310PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFS7440TRLPBF | IRFB4310PBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | StrongIRFET | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 120 A | 130 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 208 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC (typical) | 170 nC |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (normal level) | — |
| Operating Frequency Range (optimized) | <100 kHz | — |
| מארז | TO-263 (D2PAK), surface mount | TO-220AB (through-hole) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | -55C to +175C (junction) |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 7 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 5.6 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes (Pb-free PBF suffix) |