IRLR2908TRPBF vs IRLR3114ZTRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR2908TRPBF توسط Infineon و IRLR3114ZTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRLR2908TRPBF | IRLR3114ZTRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: Idm pulsed value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ Vgs=10V | 28 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ Vgs=10V | 22.5 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 22 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 120 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) range] | — |
| بسته‌بندی | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates lead-free) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 130 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V (typ) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | — | 4.9 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 40 nC @ VGS=4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.81 nF |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | — | 140 W |
| تعداد پین‌ها | — | 3 (2 + tab) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |