K4A8G085WC-BIWE vs MT40A1G8WE-075E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BIWE توسط Samsung Electronics و MT40A1G8WE-075E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| تأخیر CAS | 22 (CL22) | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |