K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF55000 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K6X0808C1D-GF55T توسط Samsung Electro-Mechanics و K6X0808C1D-GF55000 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ فعالSamsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-GF55000 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| اندازه حافظه | 256 Kbit | 256 Kbit |
| سازمان | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| ولتاژ تغذیه | 5.0 V | 5 V |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Process Technology | Full CMOS | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته‌بندی | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE (active low) |
| Address Bus Width | 15 bit | — |
| عرض گذرگاه داده | 8 bit | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: write cycle time] |
| نوع خروجی | — | Three-state, common data I/O |
| Memory Format | — | Volatile, no refresh required |
| Technology | — | Low-power CMOS |