M29F160FB55N3F2 vs M29W160EB70N3E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29F160FB55N3F2 توسط Micron Technology و M29W160EB70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | M29F160FB55N3F2 | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | Obsolete | فعال |
| نوع حافظه | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| سازمان | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 2M x8 / 1M x16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| ولتاژ تغذیه | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| دمای کاری | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| اندازه حافظه | — | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| بسته‌بندی / کیس | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |