M29F800FB55M3F2 vs M29F400FT55N3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FB55M3F2 توسط Micron Technology و M29F400FT55N3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F800FB55M3F2 M29F400FT55N3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Density 8389 kbits (8 Mbit) —
سازمان 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 256K x 16
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
رابط Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
بسته‌بندی 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP-44)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
اندازه حافظه — 4 Mbit
ولتاژ تغذیه — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت