M29F800FB55M3F2 vs M29F400FT55N3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FB55M3F2 מאת Micron Technology ו M29F400FT55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F800FB55M3F2 M29F400FT55N3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs EEPROM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Density 8389 kbits (8 Mbit) —
ארגון 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 256K x 16
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
ממשק Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
מארז 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP-44)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
גודל זיכרון — 4 Mbit
מתח אספקה — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר