MRF6S27015GNR1 vs MRF6S18100NBR1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MRF6S27015GNR1 توسط NXP Semiconductors و MRF6S18100NBR1 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

NXP Semiconductors
MRF6S27015GNR1 MRF6S27015GNR1 - 3W 2.6GHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRF6S27015GNR1 - 3W 2.6GHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRF6S27015GNR1 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6S18100NBR1 MRF6S18100NBR1 - 100W RF LDMOS Power Transistor | NXP

MRF6S18100NBR1 - 100W RF LDMOS Power Transistor | NXP

MRF6S18100NBR1 Obsolete

مقایسه مشخصات

پارامتر MRF6S27015GNR1 MRF6S18100NBR1
برند NXP Semiconductors NXP Semiconductors
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال Obsolete
Manufacturer NXP Semiconductors —
Part Type RF Power MOSFET, N-Channel, Lateral —
Technology HV6 Lateral N-Channel Enhancement-Mode MOSFET —
بسته‌بندی TO-270-2 (Case 1265-09, Style 1) Gull-Wing —
Operating Frequency Range 2300 MHz to 2700 MHz —
Drain-Source Voltage (VDSS) 68 V (max) —
Operating Drain Voltage (Vdd) 28 V (typical) —
Output Power (Avg, W-CDMA) 3 W —
Power Gain (Typ, 2.6 GHz) 14 dB —
Test Quiescent Current (IDQ) 160 mA —
Drain Efficiency (Typ) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Channel Temperature (Tch) [DATA_NEEDED: max channel temp C] —
Thermal Resistance (Rth) [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance C/W] —
Configuration Single-ended, common-source Single, common-source
نوع نصب Surface Mount (gull-wing leads) Surface Mount / Flange Mount
Target Waveform Single-carrier W-CDMA, LTE, WiMAX —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (per NXP product page)
Lead-Free Yes —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
نوع ترانزیستور — LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Application — RF Power Amplifier (GSM/GSM EDGE base station)
Frequency Range — 1805 MHz to 1990 MHz
Test Frequency — 1.99 GHz
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 68 V
Test Supply Voltage (VDD) — 28 V
Test Drain Current — 900 mA
Output Power (Pout) — 100 W
Power Gain (Gps) — 14.5 dB (typical at 1.99 GHz)
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
بسته‌بندی / کیس — TO-272 WB-4
Supplier Device Package — TO-272 WB-4
Operating Mode — Class AB / Class C (per design)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت