SSM3K35CT-L3F vs 2N7002L مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار SSM3K35CT-L3F توسط Toshiba و 2N7002L توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر SSM3K35CT-L3F 2N7002L
برند Toshiba onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V(DSS)) 20 V —
Gate-Source Voltage (V(GSS)) ±10 V (per datasheet, [DATA_NEEDED: exact value]) —
Continuous Drain Current (I(D)) 0.18 A (180 mA) —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS = 2.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW (Ta) / [DATA_NEEDED: Ta condition] —
بسته‌بندی SOT-883 (CST3), 3 pins SOT-23 (SOT-23-3)
Package Size 1.0 mm x 0.6 mm, max height 0.5 mm —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 1 V to 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Lead-Free Yes (L3F suffix) —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tape and Reel 8 mm embossed carrier, 3,000 pcs/reel (L3F suffix) —
Manufacturer Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation onsemi
نوع ترانزیستور — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Technology — High cell density trench MOSFET
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت