SSM3K35CT-L3F vs 2N7002L موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از SSM3K35CT-L3F بذریعہ Toshiba اور 2N7002L بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر SSM3K35CT-L3F 2N7002L
برانڈ Toshiba onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V(DSS)) 20 V —
Gate-Source Voltage (V(GSS)) ±10 V (per datasheet, [DATA_NEEDED: exact value]) —
Continuous Drain Current (I(D)) 0.18 A (180 mA) —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS = 2.5 V] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW (Ta) / [DATA_NEEDED: Ta condition] —
پیکیج SOT-883 (CST3), 3 pins SOT-23 (SOT-23-3)
Package Size 1.0 mm x 0.6 mm, max height 0.5 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 1 V to 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Lead-Free Yes (L3F suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tape and Reel 8 mm embossed carrier, 3,000 pcs/reel (L3F suffix) —
Manufacturer Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation onsemi
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) — 115 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Technology — High cell density trench MOSFET
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں