TLE9180D32QKXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار TLE9180D32QKXUMA1 توسط Infineon و 1EBN1001AEXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر TLE9180D32QKXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Number of Channels 6 (3 high-side + 3 low-side) —
Driver Configuration Half-Bridge, 3-phase —
Supply Voltage Range (VS) 5.5 V to 72 V —
Maximum Pin Voltage 90 V (bridge, motor and supply pins) —
Gate Drive Current 1 A source/sink —
Battery Support 12 V, 24 V and 48 V systems —
رابط SPI (16-bit) with diagnostics —
Current Sense Amplifier Integrated, adjustable gain —
Functional Safety ASIL-C capable (per ISO 26262) —
دمای کاری -40 C to +150 C junction -40 °C to +125 °C (automotive grade)
بسته‌بندی PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
Package Dimensions 10 mm x 10 mm x 1.4 mm —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualified —
RoHS Compliant —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Configuration — High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
تعداد خروجی‌ها — 2 (separate source and sink paths)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت