TLE9180D32QKXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của TLE9180D32QKXUMA1 bằng Infineon và 1EBN1001AEXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
TLE9180D32QKXUMA1 TLE9180D32QKXUMA1 - 6-Ch BLDC Gate Driver 90V LQFP-64 | Infineon

TLE9180D32QKXUMA1 - 6-Ch BLDC Gate Driver 90V LQFP-64 | Infineon

TLE9180D32QKXUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số TLE9180D32QKXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Number of Channels 6 (3 high-side + 3 low-side) —
Driver Configuration Half-Bridge, 3-phase —
Supply Voltage Range (VS) 5.5 V to 72 V —
Maximum Pin Voltage 90 V (bridge, motor and supply pins) —
Gate Drive Current 1 A source/sink —
Battery Support 12 V, 24 V and 48 V systems —
Giao diện SPI (16-bit) with diagnostics —
Current Sense Amplifier Integrated, adjustable gain —
Functional Safety ASIL-C capable (per ISO 26262) —
Nhiệt độ hoạt động -40 C to +150 C junction -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Hộp PG-LQFP-64-27 (LQFP-64 EP) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
Package Dimensions 10 mm x 10 mm x 1.4 mm —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualified —
RoHS Compliant —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Configuration — High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Số lượng đầu ra — 2 (separate source and sink paths)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Trạng thái RoHS — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá