CSD15571Q2 vs CSD13302W Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de CSD15571Q2 par Texas Instruments et CSD13302W par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | CSD15571Q2 | CSD13302W |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,19 | $0,19 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 22 A (Ta=25°C) | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | 19.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5 W (Ta=25°C) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1 V (typical) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Gate Charge] | 4.1 nC at VGS=4.5V |
| Boîtier | WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm | 4-DSBGA (1x1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Number of Channels | 1 | — |
| Technology | NexFET | NexFET |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -55°C to +150°C |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 12 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.6 A (Ta=25°C) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 0.9 V |
| Maximum Gate-Source Voltage | — | ±8 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta=25°C) |
| Height | — | 0.4 mm |