CSD15571Q2 vs CSD13302W 比較

詳細な並列比較: CSD15571Q2 メーカー: Texas Instruments および CSD13302W メーカー: Texas Instruments。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ 生産中
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CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ CSD15571Q2 CSD13302W
ブランド Texas Instruments Texas Instruments
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.19 $0.19
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) 22 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (Rds(on)) 19.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W (Ta=25°C) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.1 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] 4.1 nC at VGS=4.5V
パッケージ WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm 4-DSBGA (1x1)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel N-Channel
Number of Channels 1 —
Technology NexFET NexFET
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -55°C to +150°C
Maximum Power Dissipation 2.5 W —
Drain-Source Voltage (VDS) — 12 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.6 A (Ta=25°C)
On-Resistance (RDS(on)) — 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V
Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.9 V
Maximum Gate-Source Voltage — ±8 V
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta=25°C)
Height — 0.4 mm

データシート&リソース

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