CSD15571Q2 vs CSD13302W مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار CSD15571Q2 توسط Texas Instruments و CSD13302W توسط Texas Instruments. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Texas Instruments
CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ فعال
Texas Instruments
CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر CSD15571Q2 CSD13302W
برند Texas Instruments Texas Instruments
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) 22 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (Rds(on)) 19.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W (Ta=25°C) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.1 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] 4.1 nC at VGS=4.5V
بسته‌بندی WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm 4-DSBGA (1x1)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel N-Channel
Number of Channels 1 —
Technology NexFET NexFET
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -55°C to +150°C
Maximum Power Dissipation 2.5 W —
Drain-Source Voltage (VDS) — 12 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.6 A (Ta=25°C)
On-Resistance (RDS(on)) — 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V
Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.9 V
Maximum Gate-Source Voltage — ±8 V
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta=25°C)
Height — 0.4 mm

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت