CSD15571Q2 vs CSD13302W موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CSD15571Q2 بذریعہ Texas Instruments اور CSD13302W بذریعہ Texas Instruments. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Texas Instruments
CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ فعال
Texas Instruments
CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر CSD15571Q2 CSD13302W
برانڈ Texas Instruments Texas Instruments
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) 22 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (Rds(on)) 19.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W (Ta=25°C) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.1 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] 4.1 nC at VGS=4.5V
پیکیج WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm 4-DSBGA (1x1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel N-Channel
Number of Channels 1 —
Technology NexFET NexFET
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -55°C to +150°C
Maximum Power Dissipation 2.5 W —
Drain-Source Voltage (VDS) — 12 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.6 A (Ta=25°C)
On-Resistance (RDS(on)) — 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V
Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.9 V
Maximum Gate-Source Voltage — ±8 V
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta=25°C)
Height — 0.4 mm

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں