CSD15571Q2 vs CSD13302W So sánh

So sánh chi tiết song song của CSD15571Q2 bằng Texas Instruments và CSD13302W bằng Texas Instruments. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Texas Instruments
CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ Hoạt động
Texas Instruments
CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số CSD15571Q2 CSD13302W
Thương hiệu Texas Instruments Texas Instruments
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) 22 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (Rds(on)) 19.2 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W (Ta=25°C) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.1 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] 4.1 nC at VGS=4.5V
Hộp WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm 4-DSBGA (1x1)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel N-Channel
Number of Channels 1 —
Technology NexFET NexFET
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -55°C to +150°C
Maximum Power Dissipation 2.5 W —
Drain-Source Voltage (VDS) — 12 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.6 A (Ta=25°C)
On-Resistance (RDS(on)) — 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V
Threshold Voltage (VGS(th)) — 0.9 V
Maximum Gate-Source Voltage — ±8 V
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta=25°C)
Height — 0.4 mm

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá