H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix et K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Dernier achat |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,74 | $50,85 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Boîtier | FBGA-96 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | 0C to +95C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (chop 4) |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Type d'interface | — | Synchronous, parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |