H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC-BCTD 比較
詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR-UHC メーカー: SK hynix および K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ仕様比較
| パラメータ | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | ラストバイ |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.74 | $50.85 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 1G x 8 |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| データレート | 2400 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| パッケージ | FBGA-96 | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | 0C to +95C |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (chop 4) |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| インターフェースタイプ | — | Synchronous, parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| RoHS ステータス | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |