IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R280P7SAUMA1 द्वारा Infineon और IPD70N10S312ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD70N10S312ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | 70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 180 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA1 |
| Product Family | — | OptiMOS-T Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 4355 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 65 nC @ 10 V |
| Operating Temperature (TJ) | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100 % (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green product, RoHS compliant |