IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R280P7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD70N10S312ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R280P7SAUMA1 IPD70N10S312ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 12 A 70 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 280 mΩ (typical) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max @ ID = 190 µA [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) 53 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -40 °C to +150 °C —
Technology CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
Series CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) —
RoHS Durumu Compliant —
Integrated ESD Protection Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IPD70N10S312ATMA1
Product Family — OptiMOS-T Power-Transistor
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 4355 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 65 nC @ 10 V
Operating Temperature (TJ) — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100 % (per datasheet)
RoHS Compliance — Green product, RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin