IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD70N10S312ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R280P7SAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD70N10S312ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD70N10S312ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | 70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 180 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA1 |
| Product Family | — | OptiMOS-T Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 125 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 4355 pF @ 25 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 65 nC @ 10 V |
| Operating Temperature (TJ) | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | — | 100 % (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Green product, RoHS compliant |